氮化硅薄膜在微纳米结构器件和集成电路芯片制造等领域具有重要意义。研究表明，CHF3/O2气体比例对氮化硅薄膜的刻蚀效果产生显著影响。在该研究中，基于感应耦合等离子体干法刻蚀设备，通过固定工艺气体CHF3+O2总流量为50 sccm，ICP功率为200 W，RF功率为50 W，工艺压力为5 mTorr，工艺温度为20℃，调整O2比例至10%，获得了陡直的氮化硅侧壁（约89°）和较低的下层硅表面粗糙度（0.2nm）。 此外，研究中还利用X射线光电子能谱仪对样品表面残留物进行了组分分析，进一步认识了CHF3/O2等离子干法刻蚀机理。
孙家宝,孙一军.氮化硅薄膜的CHF3/O2混合等离子干法刻蚀研究[J].科研仪器案例成果数据库,2023,(0).
