针对封装于半导体器件内部电子线路检测，硅晶圆片内部缺陷、裂纹检测等应用场景，开发了可穿透抛光硅片进行显微成像的近红外显微系统。系统研发过程综合分析了硅基半导体材料的透过率曲线及CMOS传感器的光谱响应曲线，选定了最优的同轴照明波段，在保证透过率的同时有效抑制了硅片表面强反射光对图像质量的影响。实验结果表明，应用CMOS传感器相机搭配特定波段的照明及带通滤光片可透过抛光硅片实现内部电子线路的显微成像。相比于近红外波段常用的铟镓砷传感器，CMOS传感器像素尺寸更小、靶面更大，保证了分辨率和视场范围的同时提升。
毛鹏程,李洋,杨通,彭绍春.半导体检测用近红外显微装置的研发[J].科研仪器案例成果数据库,2023,(0).
