单晶X射线衍射仪和透射电子显微镜结合测定单晶取向生长方法
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    晶体结构解析及晶体取向测定是科研工作中经常要进行的一类表征。对于宏观百微米级别的晶体可以利用X射线衍射仪手段测定,对于微观纳米级别的晶体则多是选用透射电子显微镜手段测定。首先,利用单晶X射线衍射仪采集固态电解质中单个晶体的三维X-ray衍射数据,并基于这些衍射数据解析晶体的结构。基于解析的晶体结构,采用单晶X射线衍射仪和透射电子显微镜相结合的方法,准确分析测定固态电解质晶体物质的生长取向问题。无论是百微米级别的大晶体还是纳米级别的小晶体,均呈现了沿b轴生长的明显取向,通过两种手段相结合的方式对晶向品质做出精确的表征。

    参考文献
    引证文献
引用本文

李小菊,隋海燕.单晶X射线衍射仪和透射电子显微镜结合测定单晶取向生长方法[J].科研仪器案例成果数据库,2023,(0).

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  • 在线发布日期: 2024-09-24
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