基于莫尔条纹光刻对准中的二维 Hanning 自卷积窗
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    本研究致力于探索一种易于实施的莫尔条纹频谱泄露抑制方法,旨在实现高精度光刻对准。为此,我们提出了一种的比现有窗函数性能更强的二维 Hanning 自卷积窗(2D-HSCW),研究了 1 到 4 阶 2D-HSCW 的主瓣和旁瓣特性。结果表明该方法成功地抑制了频谱泄露,从而显著提高了相位提取的精确度,实现了亚纳米级别的高精度光刻对准。

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引用本文

许非凡, 夏豪杰.基于莫尔条纹光刻对准中的二维 Hanning 自卷积窗[J].科研仪器案例成果数据库,2024,(0).

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  • 在线发布日期: 2024-12-20
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