基于差分反射光谱的多层薄膜厚度解耦方法及其在半导体测量中的应用
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    在集成电路制造产业中,薄膜结构是微纳器件的一类基础功能结构。随着制造工艺的不断发展,薄膜厚度的精确测量成为保障制造质量的重要检测手段。薄膜的厚度范围通常从几纳米到几微米不等,衬底厚度则在百微米量级。针对厚度差异明显的膜层结构,提出了多层薄膜厚度复合光谱解耦测量方法,完成了对SiO2/Si、绝缘体上单晶硅(Silicon-On-Insulator,SOI)和高深宽比结构等硅基半导体结构进行表征研究。此外,针对效率提升和特殊粗糙样品结构测量,提出了宽面域光谱成像方法,在视场1cm2中完成了纳米级别的TiO2薄膜的厚度成像式测量。

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白承沛,孙新磊,刘曌燃,牛宝新,王子政,胡春光.基于差分反射光谱的多层薄膜厚度解耦方法及其在半导体测量中的应用[J].科研仪器案例成果数据库,2024,(0).

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  • 在线发布日期: 2025-02-07
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